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RAM, Flash memoryembedded system 2015. 1. 15. 16:27
DRAM, SRAM
SRAM
DRAM
Memory cell
Flip-Flop
안정적이다. 전원공급 장치가 중단되지 않는다면, 트리거의 상태는 무한한 시간 동안 보존될 수 있다.
플리플롭의 원리사용
Capacity(축전지)
전하를 저장하는 방식으로 데이터 저장.
시간이 지날수록 capacity판에 축적할 수 있는 전하가 얼마 되지 않기 때문에 매우 빨리 전자가 누전되므로 주기적으로 recharge돼야 한다. Recharge를 위한 제어회로가 컴퓨터 시스템에 탑재되어햔다.
75MHz와 100MHz사이에서 고장난다.
SRAM Cell은 보통 6~8개의 트랜지스터로 구성된다.
Refresh Clock에 필요 없으므로 소용량의 메모리나 Cache memory에 주로 사용된다. 속도는 5배 빠르다.
DRAM Cell은 capacity하나와 트랜지스터 하나만을 필요로한다. 고밀도 직접에 유리하다. 대용량 기억장치에 많이 쓰인다.
SRAM보통 6-8개의 트랜지스터로 구성된다. 그래서 비쌈
트리거의 상태는 안정적이다. 무한한 시간동안
DRAM
Capacity하나와 트랜지스터 하나만 필요로 한다
1cell당 1bit마 저장가능하다.
매번 읽기를 수행할 때마다 전체 행을 읽어야 한다.
Flash memory
비 휘발성 메모리 장치로, 커널, 운영체제 파일들, 사용자 데이터등을 저장한다.
flash memory는 NOR, NAND 로 나뉜다.
NOR
각 메모리 셀이 병렬로 이루어짐.
read속도가 빠름. write 속도는 느림.
코드 영역으로 적합(ex. firmware)
program unit이 Byte or word(similar to RAM)
Random Access가능, XIP지원한다.
NAND
셀이 직렬 형태로 이루어짐
Read는 느리고, Write는 빠름
데이터 영역으로 적합 (ex. 이동식 장치)
program unit이 Sector or Page (similar to HDD)
OneNand
코드 실행까지 가능한 NAND
MoviNand
모바일폰 전용 대용량 Nand Flash
Nand Flash + Controller => 원칩화
OneNand보다 느림
eMMC4.5
mmc에bootloader, kernel, ramdisk 를 flashing하는 작업은 중간에 중단없이 한번에 해주어야 한다.
자꾸 아래와 같은 에러가 뜬다,
erasing 'userdata'
Start format MMC0 partition3 ....
Partition3: Start Address(0xffffffff), Size(0xffffffff)
Start ext2format...
Wirte 0/16384block-group
Reserved blocks for jounaling : 32802
Start write addr : 0xffffffff
error during transfer: 0x00008014
mmc write failed
Can't write Superblock(0)~~~!!!
there are pending interrupts 0x00000008
MoviNand
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